我（wǒ）們生產的為非晶矽（guī）薄（báo）膜太陽能電池，了解 PECVD設備及工藝需要（yào）對真空（kōng）鍍膜有一個（gè）了解（jiě），並且對半導體物理及薄膜知識有一定的認識。不同（tóng）設備和（hé）不同類型規格的薄膜（mó）要采用適當的分切工藝，設備（bèi）狀況變化時也可以通過工藝調（diào）整給予（yǔ）彌補，但工藝調整必須謹慎。我們先（xiān）對進口真空泵及薄膜的基礎概念做一個粗略的了解。

關於進（jìn）口真空泵及薄（báo）膜的基礎概念，東莞市香蕉污视频真空科（kē）技有限公司分為兩個方（fāng）麵進行分析（xī）。

關於薄膜的基礎概念，有（yǒu）以下幾個方麵。

①薄膜：在嚴格的學（xué）術意義上，認為隻有聚集厚度（dù）小於某一特征厚度的材料才是真正的薄膜，否則便是一般的薄材料。

②特征（zhēng）厚度：是（shì）利用物質的某些基本性質在物質聚集厚度很薄（báo）的情（qíng）況下會發生異常變化的現象而確定的，即當（dāng）被選定為參（cān）考的某一物（wù）理（lǐ）性質或機械性質開始顯示出不同於它通（tōng）常所具有的特（tè）點時（shí）的厚度，便是給物質的（de）薄膜特征厚度。可以認為薄膜是一種（zhǒng）二維的材料。

③沉積技術：

氣相沉（chén）積（將構成薄膜的物質氣化後在沉積到襯底上（shàng））。

液相沉積（在液（yè）體中沉積鍍膜）。

氣相沉積：比較容（róng）易控製薄（báo）膜的組分（fèn）。

液相沉積：在（zài）接近於熱平衡的（de）條件下成膜，能獲得（dé）較妤的膜質。

薄膜的（de）主要性能

①膜厚：越均勻越妤，一般應控製在一個範圍以內比如5%，這與玻璃基板尺寸有關（guān）。

②膜表麵形貌：通過掃描電子顯微鏡（SEM）投射電子顯微鏡（TEM）等分析表明顆粒狀態，可獲得薄膜表（biǎo）麵的致密情況，缺（quē）陷狀態，退火處理對（duì）膜表麵的影響等信息。

③膜機構（gòu）特性：用（yòng）Ⅹ射線衍射分析膜的組成成分，可獲得膜的純（chún）度等信息（xī）。

膜（mó）應力：薄（báo）膜內部的應力越小越好，通過退火處理可最大程度的釋放膜的內部應力（lì）。

④膜與襯底的接觸特（tè）性：主要是指（zhǐ）薄膜與襯底之間的附著（zhe）力，當然附著力越強越（yuè）好，可避免薄（báo）膜出（chū）現缺失，開路等。

⑤膜的致密性：主要指（zhǐ）的是膜層的硬度和抗磨性。避免（miǎn）外界劃傷引起的開路現膜的化學，熱穩（wěn）定性。

⑥針對金屬膜層：要求（qiú）製備出的金屬膜層的（de）電阻（zǔ）率盡可能低，接近體電阻率。

關於進口真空泵的基礎概（gài）念

①真空：低於一個大氣壓的狀態就是真空。

②真空度：真空狀（zhuàng）態下氣體（tǐ）的稀薄（báo）程度。

③標準環境條件：溫度20°C，相對濕度65%，大氣壓力101325Pa。

④真空特點：氣體分子平均自由程大；單位麵積上分子與固體表麵碰撞幾（jǐ）率變小；氣體分子（zǐ）密度低；剩餘（yú）氣體對沉積膜（mó）的摻雜（zá）減小。要想獲得高品質的薄膜就必須（xū）有一個比較理想的本底真空（kōng）。

進口真空泵的不（bú）同真空狀態下真空工藝（yì）應（yīng）用（yòng）

⒈粗真空（10000-1000Pa）：氣體狀態與常壓相比隻是分子數量的減少，沒有氣（qì）體空間特性的變化，分子間碰撞頻繁，此時的吸附氣體釋放可以不予考慮，氣體運動以粘滯流為主。主要是利用壓力（lì）差產生的力來實現（xiàn）真空力學應用（真空吸引或運輸固體、液體、膠體等真空吸盤起重，真空過濾）

⒉低真空（kōng）（1000-0.1Pa）：氣體分子間，分子（zǐ）與器壁間碰撞不相上下，氣體分（fèn）子密度較小，氣體釋放也可不考慮，氣體運動以中間流為（wéi）主。利用氣體分子密度降低可實現無氧化加熱，利用氣壓降低時氣體的熱傳導（dǎo）和對流逐漸消失的原理可以實現真空隔熱及絕緣，利用壓強降低液體沸（fèi）點也降低的原理實現真（zhēn）空冷（lěng）凍和真空幹燥（黑色金屬真空熔（róng）煉脫（tuō）氣，真（zhēn）空絕（jué）緣和真空隔熱（rè），真空冷凍及千燥，高速（sù）空氣動力學實（shí）驗中的低壓風洞）。

⒊高真空（0.1-0.0001Pa）：氣（qì）體分子間相互碰（pèng）撞極少，氣體分子與器壁間碰撞頻繁（fán），氣體運動（dòng）以分子流為主，此時的氣體釋放是影（yǐng）響（xiǎng）真空度及抽氣時間的一（yī）個主要原因。利（lì）用氣體（tǐ）分子密度低，任何物質與氣體殘餘分子發生化學（xué）作用微弱的特點進行真空冶金，真空鍍膜（超純金屬、半導體材料的真空（kōng）提純及精製，真空鍍膜，離子注入、幹法刻蝕等表（biǎo）麵改性，真空器件的生產：光電管、各（gè）種粒子加速器等）。

⒋超高真空（>0.0000Pa）：氣體分子與器壁的碰撞次數極少，氣體空間隻有固體本（běn）身的原子，幾部沒有別的分子或原子的存在，此時壓強的升（shēng）高除了泄漏外主要就是器壁分（fèn）子的釋放。應用：宇（yǔ）宙空間環（huán）境的模擬，大型同步（bù）質子加速器的運（yùn）轉。