旋片真空泵在半導（dǎo）體刻蝕工藝中的應用的目的是把經曝光、顯影後光刻膠微圖形中（zhōng）下層材料（liào）的裸露部分去掉，即在（zài）下（xià）層材料上重現與光刻膠相同的圖形。刻蝕（shí）是半導體製造工藝，微電子IC製造工藝以及微（wēi）納製造工藝中的一種（zhǒng）相當重要的步驟。是與光刻相聯係的（de）圖形化（huà）處理（lǐ）的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐（fǔ）蝕，先通過光刻（kè）將光刻膠進行光刻曝光處理，然後通過其它方式實現腐蝕處理掉所需除去（qù）的部分。隨著微製（zhì）造工藝的發展（zhǎn），廣義上來講，刻蝕成了通（tōng）過溶液、反應離子（zǐ）或其它機械方式來（lái）剝離、去除材料的一種統稱，成為微加工製造的一種普適叫法。

下麵分別介（jiè）紹Si3N4刻蝕的流程（chéng）：

半導體刻蝕工藝之Si3N4刻蝕：

在903E刻（kè）蝕機中刻蝕，刻蝕機內（nèi）通入的氣體有：CF4、NF3、He。氟遊離基的作用（yòng）是使氮化（huà）矽被腐蝕，生成物是氣體，被旋片真空泵抽氣抽走。為了加快腐蝕速（sù）率（lǜ）可以（yǐ）在CF4中加入少量氧氣（5%-8%），因為氧能夠抑（yì）製F*在反應腔壁的損失，並且（qiě）：CF4+O2→F* +O*+COF*+COF2+CO+…… （電離）。COF*壽命較長，當它（tā）運動到（dào）矽片表麵時發生以下反應從而加速了腐蝕速率：COF*→F* CO （電（diàn）離），但是（shì）氧氣加多了要腐蝕光刻膠降低（dī）選（xuǎn）擇比。

刻蝕是微細（xì）加工技術的一個重要組成部分，微電子（zǐ）學的快速發展推動其不斷向前。從總體上來（lái）說（shuō），刻蝕技術（shù）可分為幹法刻（kè）蝕和濕法刻蝕（shí）兩種，初期的刻蝕以濕法刻蝕為主，但隨著器件製作進入微米、亞微米時代，濕法（fǎ）刻蝕難以滿足（zú）越（yuè）來越高的精度要求。幹法刻蝕技術得以很大進展。幹法刻蝕一般為通過物理和化學兩個方麵相結合的辦法來去除被刻蝕的薄膜，因此（cǐ）刻蝕具有各向異性，這就可以從根（gēn）本上改善濕法所固有的（de）橫向鑽蝕問題，從（cóng）而滿（mǎn）足微細線條刻蝕的要求。常用的刻蝕方（fāng）法有很多，旋片真空技術是其中的一種。半導體刻蝕工藝用旋片真空泵具有刻速快、選擇（zé）比高、各向異性（xìng）高、刻（kè）蝕損傷小、大麵積均勻性好、刻蝕（shí）斷麵輪廓可（kě）控性高和刻蝕表麵平整光（guāng）滑等優點，近年來，德國（guó）旋片真空泵被廣泛應用在矽、二氧化矽、Ⅲ-Ⅴ族化合物等材料的刻蝕上，取得了很好的刻蝕效果，可以滿足製作超大規模集成電路、MEMS、光電子器件等各種微結構器件的要求。

通過旋片真空泵在半導體刻蝕工藝中的應用這個實例，可以反映（yìng）出隨（suí）著人們（men）對香蕉污视频旋片真空泵的（de）進一步了解和設備的進一步完善，真空技術會更加適應（yīng）刻蝕多樣（yàng）化的要求，從而被越來越多地應用到（dào）器件製作工藝中去，成（chéng）為刻蝕的主流技術，從整體上提高器件的製備水平，進一步促進器件水平的提高、結構的更新和集成度（dù）的提高，更好地獲得一個很好的效果（guǒ）。